信息
基本信息

高压单晶生长炉

1

HKZ100

德国/ScIDre

2019年

分类信息

G120185712

极端条件材料研究平台

材料制备

管理信息

功能材料物理与器件研究部

吴莹

65591433

yingwu@issp.ac.cn

3号楼133室

主要技术指标

合成温度可达2273K,气氛压强可达100bar

主要附件及配置

主要功能用途

可在浮区法生长单晶过程中实现气氛压力

测试样品要求

对外收费标准

协商定价

其他说明